サムスン電子、アサンで高帯域メモリーの先端パッケージ工場に着工 6兆ウォン、稼働を1年前倒し

韓国のサムスン電子は12日、韓国中部のアサンで、高帯域メモリー(HBM)の先端パッケージの工場に着工した。投資額は6兆ウォン(約44億8000万ドル)で、稼働は当初の計画より1年早い2028年6月の予定だ。Reutersが伝えた。

式典に出たイ・ジェミョン大統領は、このあと約40兆ウォンの先端の装置への投資が続くと述べた。工場には3階建てで約3万1000平方メートルのクリーンルームを設ける。サーバー向けのメモリーの需要の急増に応える。

韓国政府は、サムスン電子やエスケーハイニックスなどと、半導体や人工知能のデータセンターの大型の事業を進めている。地元の自治体は許認可の期間を通常の3分の1に縮めた。半導体を仕入れる企業は、メモリーの供給の見通しを確かめたい。