日米官民連携で米国にNANDフラッシュ工場構想　キオクシア・サンディスク主導か

日本と米国の両政府がNANDフラッシュメモリー工場を米国に共同建設する構想を検討していることが、日刊工業新聞の報道で明らかになった。投資主体としては、既に協業関係にあるキオクシアホールディングスと米サンディスク（SanDisk）が想定されている。

背景にはAI需要の急拡大に伴うメモリー半導体の供給不足がある。HBM（広帯域メモリ）への需要集中で全体的なメモリー供給が逼迫しており、価格上昇が続いている。トレンドフォースによると、キオクシア・サンディスク連合は2026年の設備投資を前年比41%増の45億ドルに引き上げる計画で、次世代BiCS8の増産とBiCS9のR&Dを推進する方針だ。

ただし、この構想には資本支出を巡る意見の相違や、中国からの規制リスクの高まりなど複数の障壁がある。キオクシアは11月13日に発表した第2四半期決算で純利益が前年同期比62%減の407億円となり、財務面の制約から新規投資には慎重姿勢を示している。日米半導体協力の新たな象徴となるかが注目される。