AI半導体に不可欠な「EUV露光装置」、国内導入が相次ぐ　ラピダスは2台目

最先端半導体の量産に欠かせない極端紫外線（EUV）露光装置の日本国内への導入が加速している。1台300億円以上の高価な装置だが、2025年には国内で3台が新たに設置された。先端半導体の開発から撤退していた日本は「EUV不毛の地」とされてきたが、国の政策支援により産業復活の基盤が整い始めている。

世界で唯一EUV露光装置を製造するオランダのASMLホールディングスの2025年12月期決算によると、装置販売額に占める日本向けの比率は上昇傾向にある。ラピダスは北海道千歳市の工場に2台目のEUV装置を導入し、2027年の量産開始に向けた準備を本格化させている。

政府はラピダスへの累計数兆円規模の支援に加え、半導体関連の設備投資に対する税制優遇措置を拡充している。アメリカや中国が半導体の国産化を推進する中、日本も官民一体で最先端技術の内製化を急いでおり、EUV装置の導入はその象徴的な動きだ。